本發(fā)明提供了一種三維MOS存儲
芯片的樣品制備方法及樣品觀測方法,所述芯片上包含失效地址、第一參考點(diǎn)和第二參考點(diǎn);在所述芯片標(biāo)上覆蓋所述第一參考點(diǎn)的第一記號和覆蓋所述第二參考點(diǎn)的第二記號;先研磨第一邊側(cè)面至所述第一記號處,研磨第二邊側(cè)面至所述第二記號處;再對所述芯片進(jìn)行平面樣品制備,根據(jù)電子束裝置拍出的圖像將所述芯片切到所述失效地址所在層。在使用透射電鏡對制備出的樣品進(jìn)行觀測時,從第一參考點(diǎn)沿垂直所述第一參考點(diǎn)所在側(cè)邊方向數(shù)出第一距離,從第二參考點(diǎn)沿垂直所述第二參考點(diǎn)所在側(cè)邊數(shù)出第二距離,兩者的交叉點(diǎn)即失效地址的單元結(jié)構(gòu)。
聲明:
“三維MOS存儲芯片的樣品制備方法及樣品觀測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)