本發(fā)明公開了一種測試對準(zhǔn)使用
芯片的制作方法,其特征在于,包括:步驟1、在工藝初期圖形定義時,硅片內(nèi)的所有區(qū)域都進(jìn)行曝光;步驟2、當(dāng)該硅片因?yàn)樾酒叽邕^小時,需要進(jìn)行對準(zhǔn)芯片制作時,針對此類硅片,在硅片內(nèi)部完整shot的位置上,選擇一個小的區(qū)域M進(jìn)行二次曝光,使區(qū)域M內(nèi)的全部或部分芯片失效,形成一個失效的芯片陣列,作為測試對準(zhǔn)使用;步驟3、根據(jù)區(qū)域M中的失效芯片周邊芯片中是否含有有效芯片,來判定測試結(jié)果是否與硅片上實(shí)際芯片結(jié)果發(fā)生左、右、上、下的偏移。本發(fā)明的測試對準(zhǔn)使用芯片的制作方法,相對于常規(guī)使用的不曝光方式制作失效芯片的方法影響面積少,判定準(zhǔn)確率高,并且失效芯片數(shù)目變化靈活性高等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“測試對準(zhǔn)使用芯片的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)