本公開提供一種蝕刻缺陷檢測方法,涉及
半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該檢測方法包括:提供襯底,襯底上依次形成有導(dǎo)電層以及介質(zhì)層;對介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻處理,以形成溝槽結(jié)構(gòu);以導(dǎo)電層作為陰極,采用電鍍工藝在溝槽結(jié)構(gòu)內(nèi)填充電鍍層,以形成待測產(chǎn)品;采用缺陷密度檢測組件測試待測產(chǎn)品,以獲取溝槽結(jié)構(gòu)的頂視圖像,根據(jù)頂視圖像確定待測產(chǎn)品的蝕刻缺陷。本公開的蝕刻缺陷檢測方法可提高缺陷識別準(zhǔn)確率,防止電容因懸空而失效。
聲明:
“蝕刻缺陷檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)