本發(fā)明的一種失效點(diǎn)定位方法，包括：在硅襯底上選取測(cè)試結(jié)構(gòu)區(qū)域；在測(cè)試結(jié)構(gòu)區(qū)域中形成互連層結(jié)構(gòu)，該互連層結(jié)構(gòu)的上、下方不設(shè)置偽金屬結(jié)構(gòu)；選取該互連層結(jié)構(gòu)作為測(cè)試結(jié)構(gòu)，采用光誘導(dǎo)電阻變化技術(shù)對(duì)該測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行失效點(diǎn)定位；其中，互連層結(jié)構(gòu)的形成方法包括：設(shè)計(jì)光刻版圖案，測(cè)試結(jié)構(gòu)區(qū)域中的互連層結(jié)構(gòu)圖案上、下方不設(shè)置偽金屬結(jié)構(gòu)的圖案；在硅襯底上形成介質(zhì)層；利用光刻版為模版，經(jīng)光刻和刻蝕，在介質(zhì)層中形成互連層結(jié)構(gòu)，互連層結(jié)構(gòu)上、下方不具有偽金屬結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的方法，去除了偽金屬對(duì)激光束的阻礙，激光束可以直接照射到測(cè)試結(jié)構(gòu)上，儀器能夠接收到準(zhǔn)確的反饋信號(hào)，從而提高了失效點(diǎn)定位準(zhǔn)確率。