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基于失效物理的MOS器件可靠性仿真評價方法

761 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:59:35

本發(fā)明涉及一種基于失效物理的MOS器件可靠性仿真評價方法，包括以下步驟：步驟一：采集MOS器件相關參數(shù)；步驟二：進行失效模式、機理及影響分析；步驟三：建立CFD、FEA和故障預計模型；步驟四：開展溫度、振動、電特性仿真分析；步驟五：進行應力損傷分析；步驟六：進行累積損傷分析；步驟七：考慮偏差進行參數(shù)隨機化仿真；步驟八：利用競爭失效機制得到失效前時間向量：步驟九：評估器件的平均首發(fā)故障時間。本發(fā)明基于失效物理理論，從MOS器件可能失效的原因入手，通過分析獲得器件潛在失效機理和對應失效物理模型，進行仿真分析確定器件使用應力，最后計算得到MOS器件使用條件下的平均首發(fā)故障時間。此方法屬于MOS器件可靠性仿真評價技術領域。

聲明：

“基于失效物理的MOS器件可靠性仿真評價方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)