本發(fā)明涉及一種靜電放電失效驗證方法,包括步驟:對待驗證
芯片進行失效分析,記錄待驗證芯片的損傷信息;獲取與待驗證芯片同批次的良品芯片的損傷信息,良品芯片的損傷信息根據(jù)良品芯片通過靜電放電模擬損傷測試分析得到;將良品芯片的損傷信息與待驗證芯片的損傷信息進進行對比分析,判斷待驗證芯片是否發(fā)生靜電放電失效;當良品芯片的損傷信息與待驗證芯片的損傷信息一致時,則待驗證芯片發(fā)生靜電放電失效。上述靜電放電失效驗證方法,在進行靜電放電失效分析之前,對疑似靜電放電失效的芯片進行靜電放電失效驗證,避免直接采用靜電放電失效分析得到不準確的結(jié)果,提高了靜電放電失效分析的可靠性。
聲明:
“靜電放電失效驗證方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)