本發(fā)明提供一種覆晶
芯片取裸片的制備方法及失效分析方法,其中,本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法包括:提供覆晶芯片,覆晶芯片包括裸片及封裝于裸片的外部的封裝結(jié)構(gòu),裸片的正面具有錫球;研磨封裝結(jié)構(gòu),直至裸露出裸片正面的錫球;采用淋酸蝕刻的方式蝕刻裸片的正面,去除裸片正面的錫球、殘留的封裝結(jié)構(gòu),達到裸片正面完全開封以得到裸片樣品。本發(fā)明覆晶芯片取裸片的制備方法不需要用酸煮沸去除封裝結(jié)構(gòu),而是研磨掉封裝結(jié)構(gòu)的一部分,再使用淋酸蝕刻的方式去除錫球和裸片正面的封裝結(jié)構(gòu),從而獲得裸片,不會造成崩邊或裂痕,使用此裸片進行其他實驗時,可排除人為因素對裸片的影響,提高了實驗準確性,具有優(yōu)異的技術(shù)效果。
聲明:
“覆晶芯片取裸片的制備方法及失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)