本發(fā)明提供了一種缺陷樣品的制備方法及互連結(jié)構(gòu)缺陷的失效分析方法,所述缺陷樣品的制備方法包括:提供一具有待分析缺陷的半導體結(jié)構(gòu);在互連結(jié)構(gòu)中形成一標記,標記與待分析缺陷間隔設置;研磨互連結(jié)構(gòu)獲得缺陷樣品,其中,標記周圍的互連結(jié)構(gòu)在研磨過程中沿標記的側(cè)壁出現(xiàn)分層狀況,并通過光學顯微鏡觀察根據(jù)分層狀況判斷互連結(jié)構(gòu)的剩余層數(shù)以實現(xiàn)研磨過程的定位。本發(fā)明中,通過在待分析缺陷周圍形成標記,且標記的側(cè)壁暴露互連結(jié)構(gòu),利用研磨過程中對標記的側(cè)壁的研磨程度的差異使得標記附近的互連結(jié)構(gòu)出現(xiàn)分層狀況,通過該分層狀況以對該研磨過程實現(xiàn)準確定位,從而實現(xiàn)簡便且高效的制備缺陷樣品。
聲明:
“缺陷樣品的制備方法及互連結(jié)構(gòu)缺陷的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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