本發(fā)明提供一種TEM樣品的制備方法和失效分析方法,其在襯底上進行失效區(qū)的粗略定位后切出包含失效區(qū)的初始樣品,再用TEM對初始樣品中的具體失效點進行精準定位并減薄所述初始樣品形成最終樣品,即可供TEM電子穿透的TEM樣品。如此一來解決了傳統(tǒng)技術中FIB機臺分辨率不足,無法對半導體內(nèi)部厚度足夠小的特定層的失效點精準定位,并制造出TEM樣品的技術問題。
聲明:
“TEM樣品的制備方法和失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)