本發(fā)明公開了一種只讀存儲器的位錯失效分析方法,包括:步驟一、將只讀存儲器的后道金屬線層都剝離并使接觸孔表面露出。步驟二、在失效模塊外選定第一切割區(qū)域并進行切割形成列方向延伸的第一凹槽,各行
多晶硅條的側(cè)面在第一凹槽的側(cè)面暴露,第一凹槽還將半導(dǎo)體襯底表面暴露。步驟三、在第一凹槽的內(nèi)側(cè)表面形成第一金屬層,第一金屬層使各行多晶硅條和半導(dǎo)體襯底都接觸并接地。步驟四、進行電壓襯度成像并形成第一電壓襯度像,第一電壓襯度像中,接地的多晶硅條形成亮圖像,結(jié)構(gòu)正常的存儲單元的漏極接觸孔形成暗圖像,在失效模塊中將漏極接觸孔的圖像為亮圖像的存儲單元定位為位錯失效位置。本發(fā)明能通過電壓襯度像快速定位位錯失效位置。
聲明:
“只讀存儲器的位錯失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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