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GaAs芯片失效分析樣品及制備方法

769 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 08:59:30

本發(fā)明涉及一種GaAs芯片失效分析樣品及制備方法，該制備方法包括步驟：對GaAs芯片的基板進行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；對露出晶背的GaAs芯片進行熱點定位，確認失效位置；對所述GaAs芯片的晶背進行物理減薄，使減薄后的厚度滿足切割操作厚度；利用紅外顯微鏡對減薄后的GaAs芯片進行掃描并再次確認所述失效位置；根據(jù)所述失效位置對減薄后的GaAs芯片進行切割并形成失效分析樣品。本發(fā)明方法取消了傳統(tǒng)化學法解封塑封體，避免了對GaAs芯片的金屬走線的破壞，提高了制樣成功率并保證了后續(xù)的失效分析效果。

聲明：

“GaAs芯片失效分析樣品及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)