本發(fā)明涉及一種MIM電容器件失效分析方法,MIM電容器件位于一硅襯底上并包括一上極板、一下極板和一位于上極板與下極板之間的絕緣層,硅襯底上還至少包括一位于MIM電容器件上方的金屬層,上、下極板分別與金屬層的第一、第二電路區(qū)電連接,該方法包括如下步驟:a)確定下極板有無接地,若沒有,則執(zhí)行步驟b);否則,執(zhí)行步驟d);b)尋找與MIM電容器件層間距離最近的電源總線;其中,電源總線包括一接地引線;c)形成一連接下極板與電源總線的電路通路;d)通過電壓襯度檢測確定MIM電容器件的漏電區(qū)域。其在通過電壓襯度檢測MIM電容漏電區(qū)域時,不會漏過漏電程度較小的情況,便于觀測、也更加可靠。
聲明:
“MIM電容器件失效分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)