為了解決現(xiàn)有技術(shù)中失效晶片檢測過程極為復(fù)雜、檢測周期相對較長、容易產(chǎn)生失敗檢測結(jié)果、檢測成本較高等一系列問題,本發(fā)明提供一種對柵氧化層進(jìn)行失效分析的方法,包括:用熱凝膠將失效晶片倒貼在基片上,所述失效晶片包括襯底及襯底上的柵氧化層;將所述失效晶片的襯底研磨至一定厚度或全部去除所述襯底;用堿性溶液浸泡所述晶片表面;對所述失效晶片進(jìn)行觀測,所述控制柵有損壞時,所述柵氧化層有缺陷;所述控制柵沒有損壞時,所述柵氧化層完好。本發(fā)明的失效晶片檢測方法簡單、用時較短、不易失敗、成本較低。
聲明:
“對柵氧化層進(jìn)行失效分析的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)