本發(fā)明公開(kāi)一種機(jī)械結(jié)構(gòu)件微結(jié)構(gòu)損傷失效檢測(cè)分析方法，該方法包括以下步驟：步驟一、缺陷檢測(cè)：將待檢測(cè)機(jī)械結(jié)構(gòu)件放置在電子加速器的靶頭前照射，用探測(cè)器對(duì)待檢測(cè)機(jī)械結(jié)構(gòu)件進(jìn)行探測(cè)；步驟二、缺陷定位：兩個(gè)探測(cè)器按預(yù)設(shè)角度接收待檢測(cè)機(jī)械結(jié)構(gòu)件湮滅放出511keV光子，并兩個(gè)能譜通過(guò)三維合成云圖，通過(guò)云圖展示受檢機(jī)械結(jié)構(gòu)件的缺陷位置；步驟三、S參數(shù)計(jì)算：光譜的定性分析圖，即得到可反映材料劣化信息的S參數(shù)；步驟四、缺陷情況分析：對(duì)于有缺陷的待檢測(cè)機(jī)械結(jié)構(gòu)件，由于電子的動(dòng)量小，造成的多普勒展寬小，得到的S參數(shù)大。本發(fā)明具有根據(jù)所放出的γ射線強(qiáng)度，評(píng)估材料的劣化情形的特點(diǎn)。