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基于非單晶襯底的單晶氮化物Micro-LED陣列的制備方法

732   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:59:26
本發(fā)明公開了一種基于非單晶襯底的單晶氮化物Micro?LED陣列的制備方法。本發(fā)明通過制備二維材料掩膜層，得到位錯密度低于1×109 cm?2的位錯過濾層，并進一步得到位錯密度低于1×108 cm?2的單晶氮化物薄膜，能夠在大晶格失配且大熱膨脹系數(shù)失配的非單晶襯底上實現(xiàn)超高質量的單晶氮化物功能結構，除能夠用于制備Micro?LED器件，還能夠擴展用于制備射頻器件、功率器件、發(fā)光器件和探測器件等，具有工藝普適性；采用激光破壞外延結構與非單晶襯底的界面結合，能夠實現(xiàn)外延結構的無損分離和非單晶襯底的多次重復利用，節(jié)能環(huán)保、工藝簡單并適于批量生產(chǎn)。
聲明：
“基于非單晶襯底的單晶氮化物Micro-LED陣列的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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