本發(fā)明公開了一種利用掃描探針顯微技術(shù)探測(cè)材料介電常數(shù)的方法。本發(fā)明包括如下步驟:首先,利用靜電力顯微鏡的電場(chǎng)梯度探測(cè)獲得探針與試樣間電容梯度的實(shí)驗(yàn)值;然后利用鏡像電荷法建立探針試樣間電容隨試樣介電常數(shù)變化的理論模型;最后將實(shí)驗(yàn)值與理論模型進(jìn)行比較,推斷出試樣的介電常數(shù)。本發(fā)明能夠獲知試樣在納米尺度下的介電常數(shù)信息,且具有無損傷探測(cè)的優(yōu)點(diǎn),適用于各種電介質(zhì)如絕緣體或半導(dǎo)體等材料的表征。
聲明:
“利用掃描探針探測(cè)材料介電常數(shù)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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