本發(fā)明一種提高GaN基LED
芯片外觀良率的測(cè)試方法。該方法是將異方性導(dǎo)電膜電氣導(dǎo)通的Z方向垂直于芯片表面放置在芯片電極上,在異方性導(dǎo)電膜無(wú)需與芯片電極對(duì)位的情況下實(shí)現(xiàn)測(cè)試探針與所述芯片電極的非接觸電連接,進(jìn)行LED芯片測(cè)試。本發(fā)明在LED芯片測(cè)試中引入異方性導(dǎo)電膜,利用其不同維度導(dǎo)電性能的差異,實(shí)現(xiàn)測(cè)試針與芯片電極的非接觸測(cè)量,達(dá)到無(wú)損測(cè)試、提高GaN基LED芯片外觀良率的要求。
聲明:
“提高GaN基LED芯片外觀良率的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)