本發(fā)明公開了一種c面GaN材料應(yīng)力沿c軸分布信息的測(cè)量方法,主要解決現(xiàn)有技術(shù)不能用x射線衍射儀獲取應(yīng)力沿c軸分布的信息的問(wèn)題。其技術(shù)步驟是:將c面GaN材料水平放置于x射線衍射儀的載物臺(tái);依次對(duì)GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面進(jìn)行對(duì)光;以不小于50nm的步長(zhǎng)減小x射線透射深度,并在各透射深度下獲取(103)晶面的布拉格角;將測(cè)得的一組布拉格角代入布拉格方程,得到一組(103)晶面的面間距;根據(jù)這一組面間距計(jì)算c面GaN材料應(yīng)力沿c軸分布的信息。本發(fā)明測(cè)試成本低,對(duì)被測(cè)材料無(wú)損傷,能獲取一組應(yīng)力沿c軸的分布信息,可用來(lái)分析c面GaN材料應(yīng)力沿c軸的分布。
聲明:
“c面GaN材料應(yīng)力沿c軸分布信息的測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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