一種快速估算紅外焦平面探測(cè)器中光敏元
芯片厚度的方法;①當(dāng)光敏元芯片厚度減薄到20?m時(shí),在負(fù)電極區(qū)域上方出現(xiàn)環(huán)帶凹陷;②當(dāng)光敏元芯片厚度減薄到14?m時(shí),除環(huán)帶凹陷外,在負(fù)電極區(qū)域兩側(cè)出現(xiàn)典型棋盤格屈曲變形模式;③當(dāng)光敏元芯片厚度減薄到10?m時(shí),除環(huán)帶凹陷和棋盤格屈曲變形外,在環(huán)帶凹陷處,與負(fù)電極連接的銦柱正上方出現(xiàn)上凸變形;④當(dāng)光敏元芯片厚度減薄到6?m時(shí),棋盤格屈曲變形的峰谷差進(jìn)一步增加。本發(fā)明有益效果:與現(xiàn)有方法相比,采用本發(fā)明快速估算方法具有非接觸性、無(wú)損性、快速性、準(zhǔn)確性的特點(diǎn),能夠滿足批量生產(chǎn)需求。
聲明:
“快速估算紅外焦平面探測(cè)器中光敏元芯片厚度的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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