本發(fā)明涉及微機(jī)電MEMS器件的微形貌測試,具體是一種基于紅外白光干涉技術(shù)的微結(jié)構(gòu)形貌測試方法,解決了現(xiàn)有測試技術(shù)無法對MEMS器件中深溝槽結(jié)構(gòu)側(cè)壁形貌進(jìn)行測量的問題,以下列步驟實(shí)現(xiàn):1)在待測側(cè)壁表面進(jìn)行阻止紅外線透射的無損處理;2)以紅外光源作為測量光源,紅外光經(jīng)透鏡組調(diào)整為平行光束,經(jīng)分光器件分成參考光束、檢測光束,檢測光束透射深溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁,經(jīng)側(cè)壁與無損處理的交界面反射后,與經(jīng)參考鏡面反射的參考光束相干迭加,形成干涉條紋圖樣;3)干涉條紋圖樣經(jīng)光學(xué)透鏡、CCD圖像傳感器傳輸至計(jì)算機(jī),分析處理得所測側(cè)壁的三維形貌圖。本發(fā)明突破了現(xiàn)有測量技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)深溝槽結(jié)構(gòu)測量的缺點(diǎn),應(yīng)用領(lǐng)域廣。
聲明:
“基于紅外白光干涉技術(shù)的微結(jié)構(gòu)形貌測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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