本發(fā)明公開了一種基于單對(duì)電極電容成像檢測(cè)技術(shù)的非導(dǎo)電材料開口缺陷寬度方向尺寸量化的方法，涉及無損檢測(cè)信號(hào)處理領(lǐng)域，包括：利用一個(gè)極板間距為S的探頭接收包括非導(dǎo)電材料開口缺陷在內(nèi)的輸入單對(duì)電極電容成像連續(xù)n個(gè)位置處的檢測(cè)信號(hào)電壓值U_n，對(duì)所述n個(gè)點(diǎn)求檢測(cè)信號(hào)電壓值對(duì)檢測(cè)位置X_n的導(dǎo)數(shù)ΔU_n＝(U_n+1?U_n)/(X_n+1?X_n)，并繪制所述檢測(cè)信號(hào)電壓值導(dǎo)數(shù)ΔU_n關(guān)于檢測(cè)位置X_n的曲線；獲取檢測(cè)信號(hào)導(dǎo)數(shù)ΔU_n關(guān)于檢測(cè)位置X_n的導(dǎo)數(shù)曲線的最大值點(diǎn)X_max點(diǎn)和最小值點(diǎn)X_min，最大值點(diǎn)與最小值點(diǎn)之間的距離為L＝|X_max?X_min|，非導(dǎo)電材料開口缺陷寬度方向的尺寸為D＝L?S。本發(fā)明通過對(duì)單對(duì)電極電容成像檢測(cè)信號(hào)進(jìn)行求導(dǎo)處理，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對(duì)非導(dǎo)電材料開口缺陷寬度方向尺寸進(jìn)行量化。