本發(fā)明公開(kāi)了一種SiCMOSFET模塊內(nèi)部多
芯片溫度分布均勻性的無(wú)損測(cè)試方法,在SiCMOSFET模塊柵極施加一個(gè)高柵壓,工作在盲區(qū)之上,分別施加小電流和長(zhǎng)脈寬大電流,獲得小電流的溫度敏感參數(shù)和大電流含有自升溫的溫度敏感參數(shù);通過(guò)反向逆推大電流含有自升溫的溫度敏感參數(shù),獲得未產(chǎn)生自升溫的校溫曲線,結(jié)合小電流的校溫曲線,建立校溫曲線庫(kù);基于校溫曲線庫(kù),在小電流和長(zhǎng)脈寬大電流下,測(cè)試升溫后模塊的兩個(gè)溫度值,計(jì)算二者溫度結(jié)果的差值;根據(jù)溫度差值的大小與參考溫度差值作比較,即可在不破壞模塊封裝的情況下判斷模塊內(nèi)部的溫度分布情況。本發(fā)明避免了在實(shí)際工況下,模塊內(nèi)部多芯片溫度分布不均勻、溫度差異大,導(dǎo)致個(gè)別芯片可靠性明顯降低的問(wèn)題。
聲明:
“SiC MOSFET模塊內(nèi)部多芯片溫度分布均勻性的無(wú)損測(cè)試方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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