本發(fā)明公開了一種高精度中子無損檢測(cè)裝置，包括中子發(fā)射源、底座、屏蔽蓋、中子成像探測(cè)器，底座上側(cè)面為樣品放置區(qū)，底座中間設(shè)有安裝中子發(fā)射源的腔體，所述的腔體貫穿底座的上側(cè)設(shè)置，所述的屏蔽蓋設(shè)在底座上側(cè)，屏蔽蓋可在上下方向進(jìn)行位置的調(diào)節(jié)，所述的中子成像探測(cè)器設(shè)置在屏蔽蓋的上側(cè)；所述的屏蔽蓋為上小下大的錐形管體結(jié)構(gòu)，還包括屏蔽管，所述的屏蔽管豎直設(shè)置在屏蔽蓋內(nèi)，屏蔽管的上端與屏蔽蓋的上端開口處連接，屏蔽管為可上下伸縮設(shè)置，所述的屏蔽蓋的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有反射調(diào)節(jié)板，反射調(diào)節(jié)板的下端與屏蔽蓋鉸接連接，屏蔽蓋上設(shè)有螺紋孔，所述的螺紋孔上連接有調(diào)節(jié)螺桿，所述的調(diào)節(jié)螺桿與反射調(diào)節(jié)板的上端連接。