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單晶硅位錯密度的無損檢測方法

1103 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:57:49

本發(fā)明公開了一種單晶硅位錯密度的無損檢測方法，設置儀器參數(shù)，對單晶硅片進行XRD測試；獲得該單晶硅片的XRD衍射譜，經(jīng)過擬合，由該衍射譜獲得衍射峰的半高寬數(shù)據(jù)B；以相同的儀器測試參數(shù)對無位錯標準硅樣品進行XRD測試，獲得標準硅樣品的XRD衍射譜，經(jīng)過擬合，獲得儀器寬化δ；根據(jù)關系式計算單晶硅位錯導致的物理寬化β；根據(jù)公式ρ=β2/(4.35b2)計算所測單晶硅的位錯密度。該無損檢測方法以XRD測試方法為基礎、可對位錯密度進行定量化測試表征的理論，實現(xiàn)單晶硅中位錯密度的定量計算表征。操作簡單，數(shù)據(jù)處理方便，結果可靠同時對待測樣品無損。

聲明：

“單晶硅位錯密度的無損檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)