本發(fā)明涉及氮化物
半導(dǎo)體材料p型電導(dǎo)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于氮化物半導(dǎo)體材料除氫激活的裝置及氮化物半導(dǎo)體材料除氫激活的方法。本發(fā)明采用恒電位
電化學(xué)裝置,通過(guò)打斷p型雜質(zhì)與H原子的鍵連,并將H從樣品中移除,激活p型雜質(zhì)的受主活性,在外加電壓和電解液離子的共同作用下,H原子與p型雜質(zhì)的鍵連可被有效打斷并脫離樣品,從而使p型雜質(zhì)被迅速激活,空穴濃度獲得提高,可極大地改善p型材料的導(dǎo)電特性。此方法裝置簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)便、常溫工作,可制備具有良好導(dǎo)電特性的p型氮化物半導(dǎo)體材料,且可對(duì)完整器件結(jié)構(gòu)晶圓片做后期處理,在可見(jiàn)光、紫外、深紫外LED、LD、探測(cè)器等光電子領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用前景和開(kāi)發(fā)潛力。
聲明:
“用于氮化物半導(dǎo)體材料除氫激活的裝置及氮化物半導(dǎo)體材料除氫激活的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)