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含硅混陰離子非線性光學(xué)晶體及其制備方法和應(yīng)用

681   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:59
本申請?zhí)峁┝艘环N含硅混陰離子非線性光學(xué)晶體,化學(xué)式為:Ba5Ga2SiO4S6,具有優(yōu)良的二階非線性光學(xué)性質(zhì),即在紅外波段能夠?qū)崿F(xiàn)相位匹配,具有寬的光學(xué)帶隙(如Eg=4.03eV),其粉末倍頻強度可達(dá)到商用材料AgGaS2的0.65倍,且其激光損傷閾值是AgGaS2晶體的17.5倍,很好地實現(xiàn)了大的二階倍頻系數(shù)和寬的光學(xué)帶隙的平衡,且制備方法簡潔,在激光頻率轉(zhuǎn)換、近紅外探針、光折變信息處理等高科技領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用價值,尤其是用于紅外探測器和紅外激光器。
聲明:
“含硅混陰離子非線性光學(xué)晶體及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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