發(fā)明提供了一種導電高分子/硒化銻異質結及其制備方法與光電應用,屬于半導體
納米材料技術領域。本發(fā)明以金屬鹽混合Sb2Se3作為前驅體,以云母或硅片作為載體,通過化學氣相沉淀法制備超薄Sb2Se3納米三角片;然后采用PMMA輔助轉移法將超薄Sb2Se3納米三角片轉移至襯底;最后使用標準旋涂法制備導電高分子/硒化銻異質結。所述導電高分子/硒化銻異質結,借由導電高分子的可調節(jié)帶隙,可以獲得更高質量的異質結型光電探測器。
聲明:
“導電高分子/硒化銻異質結及其制備方法與光電應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)