本發(fā)明公開了一種磁共振成像兼容的導(dǎo)電薄膜合金材料及其制備方法。本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜合金材料是面向植入式醫(yī)療器械、神經(jīng)接口或腦機(jī)接口應(yīng)用,以一種順磁性物質(zhì)和一種抗磁性物質(zhì)為共濺射材料,通過磁控共濺射鍍膜的微納加工技術(shù)制備得到的薄膜合金材料。本發(fā)明利用磁控共濺射鍍膜的方法,分別優(yōu)化設(shè)定了順磁性物質(zhì)?抗磁性物質(zhì)的濺射電流強(qiáng)度、功率等參數(shù)以及特定的成膜氣壓來制備合金材料。從而確定了可應(yīng)用于植入器械的導(dǎo)電薄膜合金材料的磁控濺射制備條件,使其具有較好的導(dǎo)電與
電化學(xué)性質(zhì),并且在磁共振成像中不會造成影響觀測植入部位的成像偽影,具有良好的磁共振成像兼容性。
聲明:
“磁共振成像兼容的導(dǎo)電薄膜合金材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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