本發(fā)明涉及一種非線性光學(xué)晶體材料及其制備方法與應(yīng)用,該類晶體材料的化學(xué)式為NaM(SO
4)
2(H
2O)(M=Ce
3+,Bi
3+),屬于三方晶系,其空間群分別為P3
121和P3
221。在1064nm激光照射下,粉末倍頻強(qiáng)度分別為KH
2PO
4(KDP)晶體的0.2倍和0.38倍,且在該波長激光照射下都能實現(xiàn)相位匹配。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明涉及的晶體材料NaBi(SO
4)
2(H
2O)具有較大的帶隙,測得的激光損傷閾值為已商業(yè)化的紅外二階非線性材料AgGaS
2(AGS)的83倍,表明該材料在紫外非線性光學(xué)、電光調(diào)制、光折變信息處理等領(lǐng)域具有較大的應(yīng)用潛力。
聲明:
“異雙金屬硫酸鹽非線性光學(xué)晶體材料及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)