本發(fā)明涉及一種X射線薄膜窗口電極的制備優(yōu)化方法，包括：根據(jù)電極材料確定X射線能量范圍；根據(jù)特定能量范圍內(nèi)的X射線穿透能力確定至少一個基體層；根據(jù)特定能量范圍內(nèi)的X射線穿透能力確定至少一個導電層；得到導電層覆蓋在基體層上的至少一個復合層；根據(jù)復合層的O
2和H
2O透過率確定至少一個復合層；結(jié)合標準電極材料的譜學信號測試確定復合層的最佳材料和最佳厚度；在復合層上形成電極層，從而得到X射線薄膜窗口電極。本發(fā)明還涉及一種X射線薄膜窗口電極，包括由基體層、導電層和電極層依次復合形成的三層復合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明同時兼顧
電化學及光譜學測試因素，提出高效的窗口電極復合結(jié)構(gòu)，制定窗口電極的理性優(yōu)化方案。
聲明：
“X射線薄膜窗口電極的制備優(yōu)化方法以及由此得到的X射線薄膜窗口電極” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月21日 ~ 23日 
