本發(fā)明一種四元LED
芯片干法蝕刻方法,屬于LED蝕刻技術(shù)領(lǐng)域;解決的技術(shù)問題是提供了一種四元LED芯片干法蝕刻方法,在偏壓功率、電感耦合等離子體和蝕刻時間設(shè)定為特定值時調(diào)整氣體流量,使被蝕刻產(chǎn)品的均勻度降低,提高產(chǎn)品質(zhì)量;采用的技術(shù)方案為:一種四元LED芯片干法蝕刻方法,按照以下步驟進行:將偏壓功率、電感耦合等離子體功率和蝕刻時間設(shè)定為特定值,氣體流量設(shè)定為15±1sccm;將帶有掩膜的待蝕刻材料放入反應(yīng)腔內(nèi);將蝕刻完成的材料取出,置入化學(xué)溶液中去除掩膜;將材料放入測量儀,測試材料多個位置的蝕刻深度;本發(fā)明可廣泛應(yīng)用于蝕刻技術(shù)領(lǐng)域。
聲明:
“四元LED芯片干法蝕刻方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)