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硅薄膜異質(zhì)結太陽電池的制備方法

742 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:56:36

一種用于半導體技術領域的硅薄膜異質(zhì)結太陽電池的制備方法，襯底清洗：采用半導體清洗工藝進行襯底的表面初清洗，再將襯底放在去離子水中用超聲波清洗，用去離子水沖洗數(shù)次，氮氣吹干；制備本征非晶硅層：用熱絲化學汽相沉積技術制備本征非晶硅層，鎢絲溫度用光學高溫計測量，加熱器與樣品的溫度分別由兩個熱電偶測定，用電子溫度控制器控制溫度，在襯底表面反應生長而成薄膜；在本征非晶硅薄膜上再沉積一層發(fā)射層；正、背面電極的形成：用濺射工藝在電池的正、背面形成電極；最后進行真空熱退火工藝。本發(fā)明薄膜具有光照穩(wěn)定性，在AM1.5， 100mW/cm2標準光強下，獲得的硅薄膜的光電導增益可達106，基于此薄膜的非晶硅和晶硅異質(zhì)結太陽電池的效率達12.5％。

聲明：

“硅薄膜異質(zhì)結太陽電池的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)