本發(fā)明公開了一種
多晶硅SOI基板型光電耦合器,包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO
2中間層的第一介質(zhì)層和頂層多晶硅,頂層多晶硅通過低壓力化學(xué)氣相沉積法淀積在第一襯底上;光電耦合器包括制作在第一襯底中的硅光探測器、第一介質(zhì)層以及制作在頂層多晶硅中的多晶硅光源。本發(fā)明還公開了上述光電耦合器的制作方法,并進一步公開了上述光電耦合器的集成電路及其制作方法。本發(fā)明的多晶硅光源與硅光探測器軸向排布,面積小、制造成本低,具有較高的光傳輸效率和集成度;本發(fā)明的光電耦合器可以與電路集成在同一個襯底上,多晶硅光源與硅光探測器軸向堆疊,進一步降低了制造成本,具有較高的集成度。本發(fā)明適用于光電耦合器的集成技術(shù)領(lǐng)域。
聲明:
“多晶硅SOI基板型光電耦合器、其集成電路及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)