碳源可控單壁
碳納米管陣列的制備裝置,該裝置包括:氣體管路控制部分,高溫管式實驗主體,尾氣吸收處理裝置。氣體管路控制部分包括氣體流量計、開關(guān)閥、液體容器、導(dǎo)氣管;高溫管式實驗主體主要包括法蘭、高溫管式爐、石英管、基片。氣體管路控制部分的導(dǎo)氣管最終指向石英管。石英管兩端塞緊法蘭,法蘭上留有導(dǎo)氣管連通孔。石英管外壁設(shè)有高溫管式爐,石英管內(nèi)部中間處放有基片,石英管另一端通過導(dǎo)氣管連接尾氣處理裝置。本裝置具有的優(yōu)點是改進傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積方法(CVD),實現(xiàn)碳源可控,減少更換碳源裝置的繁瑣,以及改裝碳源裝置后續(xù)繁瑣的檢查氣密性工作,節(jié)約時間,提高效率和準(zhǔn)確性。
聲明:
“碳源可控單壁碳納米管陣列的制備裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)