本發(fā)明公開了一種可控硅的生產(chǎn)工藝,包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通步驟、進(jìn)行穿通擴(kuò)散步驟、光刻陰極步驟、陰極擴(kuò)散步驟、光刻臺面槽步驟、化學(xué)腐蝕臺面槽步驟、光刻陰極門極槽步驟、化學(xué)腐蝕陰極門極槽步驟、玻璃鈍化步驟、光刻引線孔步驟、正面蒸鋁步驟、鋁反刻步驟、
鋁合金步驟、背面噴砂步驟、背面金屬化步驟、
芯片測試步驟、劃片步驟和芯片包裝步驟,其特征在于:所述進(jìn)行穿通擴(kuò)散步驟和光刻陰極步驟之間增加了短基區(qū)擴(kuò)散步驟,所述短基區(qū)擴(kuò)散步驟包括鎵預(yù)淀積步驟和鎵再分布步驟。優(yōu)點(diǎn)是:提高了可控硅的可靠性和適用性。
聲明:
“可控硅的生產(chǎn)工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)