本發(fā)明公開了一種閃存柵極的制造方法,包括步驟:形成淺溝槽場氧隔離出有源區(qū)。進行離子注入形成閃存的阱區(qū)。在硅襯底的表面依次生長ONO層和
多晶硅層并對多晶硅層進行摻雜。在多晶硅層表面沉積金屬硅化鎢層。依次采用爐管工藝和化學氣相淀積工藝生長第四氮化硅層和第五氮化硅層并疊加形成柵極硬掩膜層。采用光刻刻蝕工藝依次對柵極硬掩膜層、金屬硅化鎢層和多晶硅層進行刻蝕并形成閃存的柵極。本發(fā)明能夠使柵極保持良好的形貌,能對閃存的ONO缺陷進行良好的修復從而提高閃存的壽命以及消除單獨采用化學氣相淀積工藝形成氮化硅層時所帶來的耐久性測試問題,能有效防止多晶硅耗盡。
聲明:
“閃存柵極的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)