本發(fā)明公開了一種多孔硅基氧化鎢薄膜
復(fù)合材料氣敏傳感器及其制備方法和應(yīng)用,由多孔硅基底、Pt膜電極、多孔硅基氧化鎢敏感層和其上的方形的Pt電極組成,所述的多孔硅基氧化鎢敏感層由多孔硅層和恒電位
電化學(xué)沉積在其上的氧化鎢(WO
3)薄膜組成。本發(fā)明通過在多孔硅基底制備歐姆接觸電極,然后利用電化學(xué)法在多孔硅上原位生長(zhǎng)WO
3顆粒薄膜的方法較為簡(jiǎn)單,所需控制的工藝條件較少,成本低廉;制備出的多孔硅基氧化鎢薄膜復(fù)合材料氣敏傳感器可在室溫下探測(cè)低濃度二氧化氮?dú)怏w,具有靈敏度較高、響應(yīng)/恢復(fù)性能較好、選擇性和重復(fù)性好的特點(diǎn)。
聲明:
“多孔硅基氧化鎢薄膜復(fù)合材料氣敏傳感器及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)