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半導體型硫摻雜石墨烯薄膜制備方法

1057 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 08:23:03

半導體型硫摻雜石墨烯薄膜制備方法，涉及半導體型硫摻雜石墨烯薄膜的制備方法，尤其是使用廉價的乙二醇和硫酸為原料，使用工藝簡單的液相化學反應法制成溶液然后旋涂再高溫退火處理得到光電性能良好的半導體型硫摻雜石墨烯薄膜制備方法。本發(fā)明的半導體型硫摻雜石墨烯薄膜制備方法，其特征在于該制備方法采用乙二醇和硫酸按一定摩爾比反應生成后的溶液經(jīng)旋涂退火后一次性生成硫摻雜石墨烯薄膜，包括液相化學反應、旋涂和退火三個步驟。本發(fā)明通過硫摻雜的方式，調(diào)制了石墨烯薄膜的能級，有效地改變了石墨烯薄膜的性能，從而使本發(fā)明制備得的硫摻雜石墨烯薄膜具有更優(yōu)良的光電及發(fā)光調(diào)制性能，可用于光電探測器領域。

聲明：

“半導體型硫摻雜石墨烯薄膜制備方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)