本發(fā)明的目的在于提供一種具有
光伏特性的拓?fù)浣^緣體薄膜及其制備方法,其特征在于,利用化學(xué)氣相沉積方法制備:將拓?fù)浣^緣體材料蒸發(fā)沉積在硅基片上,得到拓?fù)浣^緣體薄膜。該薄膜具有全日光波段光電響應(yīng)能力,用太陽(yáng)光作為光源,n-TI/p-Si或p-TI/n-Si雙層結(jié)構(gòu)薄膜光電響應(yīng)時(shí)間低于1秒,所測(cè)樣品面積在9-15平方毫米,最強(qiáng)太陽(yáng)光強(qiáng)度為200W/m2,開路光電壓達(dá)0.1V,短路光電流達(dá)幾十微安,隨薄膜面積和太陽(yáng)光強(qiáng)度的增加而增加,適用于
太陽(yáng)能電池。
聲明:
“具有光伏特性的拓?fù)浣^緣體薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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