本發(fā)明提供一種三維存儲器件的制造方法及其器件結(jié)構(gòu),在進行化學機械拋光操作以平坦化三維存儲器件表面的步驟之前,無需沉積氮化硅阻擋層作為化學機械拋光終止信號的操作,可以通過將位于三維存儲器件區(qū)和外圍電路區(qū)上方的氧化物絕緣層的厚度設(shè)置為比所述三維存儲器件的堆疊層的厚度更厚,并通過監(jiān)測位于所述堆疊層的核心平臺區(qū)上方的氧化物絕緣層的厚度來確定后續(xù)化學機械拋光的時間,從而省略了傳統(tǒng)的通過沉積氮化硅阻擋層來作為化學機械拋光停止操作的步驟,并且減少了化學機械拋光工藝后殘留的各種缺陷問題,降低了制造成本和時間,提高工藝的穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。
聲明:
“三維存儲器件的制造方法及其器件結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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