本發(fā)明主要涉及一種用于半導(dǎo)體晶圓的激光研磨工藝，屬于晶圓研磨技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：步驟一，提供待研磨的半導(dǎo)體晶圓；步驟二，利用激光測量計測量晶圓幾何參數(shù)；步驟三，與晶圓目標(biāo)幾何參數(shù)對比確定激光研磨加工余量；步驟四，設(shè)定激光研磨加工工藝參數(shù)并完成首次激光研磨加工；步驟五，再次測量晶圓幾何參數(shù)。步驟六，與晶圓目標(biāo)幾何參數(shù)對比確定第二次激光研磨加工余量；步驟七，設(shè)定激光研磨加工工藝參數(shù)并完成第二次激光研磨加工；重復(fù)上述步驟，直至晶圓幾何參數(shù)滿足晶圓目標(biāo)幾何參數(shù)要求。激光研磨代替?zhèn)鹘y(tǒng)化學(xué)機(jī)械研磨，減少了環(huán)境污染，拓寬了一臺設(shè)備可研磨加工的晶圓尺寸；緩解了化學(xué)機(jī)械研磨精度控制方法淺顯，難以保證較高研磨精度的技術(shù)問題，優(yōu)化了晶圓的化學(xué)機(jī)械研磨工藝，使得晶圓研磨精度的控制工藝更加準(zhǔn)確、可靠。