一種半絕緣砷化鎵晶片雙面拋光方法,它包括以下步驟:(1)晶片厚度監(jiān)測、分組;(2)晶片初次清洗;(3)粘片;(4)正面拋光:拋光設置拋光機壓力值10-20PSI,拋光液流量100-160ML/MIN;(5)卸片、粘片及背面拋光;(6)晶片二次清洗;(7)檢驗包裝。本發(fā)明的優(yōu)點是:所使用的拋光液為“2360型”拋光劑添加次氯酸鈉溶液,在大型拋光機上對晶片雙面進行化學機械拋光,以獲得高質量的砷化鎵晶片表面,通過該方法拋光所得砷化鎵拋光晶片總厚度變化不大于5ΜM,翹曲度不大于20ΜM,晶面平整度不大于4ΜM,表面粗糙度RA達到0.1-0.2ΜM,在8000LUX強光下均未檢測到沾污、霧、劃道、顆粒、裂、橘皮、鴉爪等缺陷。
聲明:
“半絕緣砷化鎵晶片雙面拋光方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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