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PVP/CdS量子點修飾電極及其制備方法

778   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:54:09
一種PVP/CdS量子點修飾電極(1)及其制備方法。 該電極由已有的玻碳電極(10)及其玻碳電極的表面(2)和在玻碳 電極的表面(2)上依次修飾的PVP/CdS量子點復(fù)合材料膜(3)和 Nafion膜(4)構(gòu)成。該電極的制備是先以聚乙烯吡咯烷酮、 Na2S·9H2O和 2CdCl2·5H2O為原料,制備PVP/CdS量子點復(fù)合材料,接著 將該復(fù)合材料制成修飾液,滴涂在玻碳電極的表面(2),自然晾 干,形成一層PVP/CdS量子點復(fù)合材料膜(3),再在PVP/CdS 量子點復(fù)合材料膜(3)上滴涂Nafion甲醇溶液,自然晾干,形 成一層Nafion膜(4),制得PVP/CdS量子點修飾電極(1)。該電 極能實現(xiàn)已有的玻碳電極(10)無法實現(xiàn)的低濃度蛋白質(zhì)溶液及 人血樣等實際樣品的電化學檢測,有靈敏度高,穩(wěn)定性好,線 性范圍寬,檢測限低等優(yōu)點,此外,制備該電極的方法簡便易 行,成本低廉,重現(xiàn)性好。
聲明:
“PVP/CdS量子點修飾電極及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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