本發(fā)明公開了一種基于反應(yīng)回滯曲線制備TiN涂層的控制方法,包括采用高功率脈沖磁控濺射技術(shù),以Ti金屬單質(zhì)靶為金屬靶,N2作為反應(yīng)氣體,基于反應(yīng)氣體通入流量先增加后減小測量金屬靶放電電壓,完成對反應(yīng)氣體通入流量的最小二乘法回歸擬合,橫坐標(biāo)為檢測點(diǎn)的反應(yīng)氣體流量,縱坐標(biāo)為檢測點(diǎn)的放電電壓,擬合出“反應(yīng)氣體流量?放電靶電壓”反應(yīng)回滯曲線;在反應(yīng)氣體流量上升和下降過程中,同一個(gè)氣體流量對應(yīng)的放電電壓的差值達(dá)到電壓差閾值的區(qū)域作為反應(yīng)回滯曲線的過渡區(qū)域,在過渡區(qū)域選擇反應(yīng)氣體的通入流量,實(shí)現(xiàn)在基底表面沉積TiN涂層的化學(xué)計(jì)量比和制備速率的控制。利用該方法能夠簡單、高效選取制備參數(shù),以高速率穩(wěn)定制備TiN涂層。
聲明:
“基于反應(yīng)回滯曲線制備TiN涂層的控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)