本發(fā)明公開了一種顆粒物清除效率的快速評價方法,對半導(dǎo)體制造中化學(xué)機(jī)械拋光處理后的晶圓表面顆粒物的清除效率進(jìn)行評價,包括:切割處理晶片得到晶片樣品,進(jìn)行沾染實驗,獲得待清洗的晶樣;進(jìn)行形貌分析,獲得清洗前三維形貌圖像;用清洗液進(jìn)行清洗實驗,得到清洗后的晶樣;獲得清洗后三維形貌圖像;將得到的清洗前/后三維形貌圖像分別在垂直方向上截取高度H處的橫截面,對應(yīng)得到晶片表面清洗前/后顆粒污染物狀況的圖像,對圖像進(jìn)行分析處理,得到清洗前/后顆粒污染物數(shù)量或面積,計算清洗效率,其中高度H大于晶片樣品表面的平均粗糙度且小于顆粒污染物平均粒徑的一半。本發(fā)明的評價方法能實現(xiàn)快速、低成本的清除效率的評價。
聲明:
“顆粒物清除效率的快速評價方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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