本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體氧化物納米顆粒修飾貴金屬納米錐陣列結(jié)構(gòu)的SERS襯底的制備方法，包括：首先采用低溫電感耦合等離子體增強(qiáng)反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，對(duì)硅片進(jìn)行無(wú)掩膜刻蝕，獲得高密度大面積納米硅錐陣列結(jié)構(gòu)；然后利用磁控濺射或熱蒸鍍?cè)谏鲜黾{米硅錐結(jié)構(gòu)上包覆一層納米厚度的貴金屬膜；最后采用提拉浸漬法在上述貴金屬膜覆蓋的納米硅錐上均勻單分散負(fù)載一層ZnO納米顆粒獲得SERS襯底。本發(fā)明制備得到的ZnO納米顆粒修飾貴金屬納米錐陣列結(jié)構(gòu)SERS襯底具有貴金屬的物理電磁增強(qiáng)效應(yīng)，還耦合了半導(dǎo)體的電荷轉(zhuǎn)移化學(xué)增強(qiáng)機(jī)制，通過(guò)二者的協(xié)同效應(yīng)，對(duì)于提高SERS襯底的靈敏度、增強(qiáng)因子、實(shí)際檢測(cè)中對(duì)痕量物質(zhì)的定量分析能力具有重要意義。