本發(fā)明公開了一種可以降低InAs/GaSb超晶格長波紅外探測器暗電流的表面鈍化方法,其步驟如下:步驟1:取一襯底;步驟2:在襯底上生長GaAs緩沖層;步驟3:在GaAs緩沖層上生長p型GaSb緩沖層;步驟4:在GaSb緩沖層上生長p型InAs/GaSb超晶格層、InAs/GaSb超晶格吸收層、n型InAs/GaSb超晶格層、InAs蓋層;步驟5:采用標準光刻工藝技術(shù)及感應(yīng)耦合等離子體刻蝕技術(shù)刻蝕露出p型InAs/GaSb超晶格層;步驟6:在p型InAs/GaSb超晶格層和InAs蓋層上利用磁控濺射技術(shù)沉積合金電極Ti/Pt/Au,并用丙酮溶液進行金屬剝離、清洗;步驟7:在剝離、清洗后的基片上,利用感應(yīng)耦合等離子體化學氣相沉技術(shù)在75℃下生長SiO2高質(zhì)量絕緣層薄膜,然后刻蝕露出電極,最后封裝、測試。本方法可以減小器件暗電流,提高器件性能。
聲明:
“可以降低InAs/GaSb超晶格長波紅外探測器暗電流的表面鈍化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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