本發(fā)明提供一種測量硅片擴散長度的表面處理方法,包括如下步驟,將原生硅片在酸液中漂洗,漂洗后用去離子水清洗,去除殘留漂洗液后烘干,再利用等離子體氣相化學(xué)沉積法在硅片表面沉積氮化硅薄膜,將沉積了氮化硅薄膜的硅片放入燒結(jié)爐燒結(jié),最后將燒結(jié)完的硅片冷卻至室溫后放入SemiLab?PV2000測試設(shè)備的樣品臺測試,結(jié)果SPV8、SPV6信號均明顯增強,線性比LR顯著增大,完全達到測試設(shè)備要求。
聲明:
“測量硅片擴散長度的表面處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)