本發(fā)明公開了一種日盲紫外雪崩光電探測(cè)器及其制備方法,其中光電探測(cè)器的結(jié)構(gòu)從下至上依次為AlN模板層、AlN緩沖層、n型Al
x1Ga
1?x1N層、i型Al
x2Ga
1?x2N吸收層、n型GeS分離層、i型Al
x3Ga
1?x3N倍增層和p型GaN層;所述n型Al
x1Ga
1?x1N層上引出有n型歐姆電極;所述p型GaN層上引出有p型歐姆電極;所述n型GeS分離層分別與i型Al
x2Ga
1?x2N吸收層和i型Al
x3Ga
1?x3N倍增層采用范德華力鍵合組合形成。本發(fā)明n型分離層采用二維材料GeS替代三維材料AlGaN與上下的i型AlGaN層通過范德華力進(jìn)行鍵合在一起,而不是用化學(xué)外延生長方法,解決了現(xiàn)有技術(shù)中器件提前擊穿、界面處產(chǎn)生極化電荷的問題,同時(shí)提高了雪崩光電探測(cè)器的響應(yīng)速度。
聲明:
“日盲紫外雪崩光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)