經(jīng)校準(zhǔn)的光刻模型可以被用于基于集成電路(IC)設(shè)計布局生成光刻模型輸出。然后,可以從光刻模型輸出至少提取化學(xué)參數(shù)。然后,經(jīng)校準(zhǔn)的缺陷率模型可以被用于基于化學(xué)參數(shù)預(yù)測針對IC設(shè)計布局的缺陷率。
聲明:
“基于光刻模型參數(shù)預(yù)測缺陷率” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)